ในโมดูลพลังงาน IGBT/SiC พื้นผิวเซรามิกที่บรรทุกชิปทำหน้าที่หลายอย่างไปพร้อมๆ กัน รวมถึงการรองรับเชิงกล การเชื่อมต่อไฟฟ้า และการกระจายความร้อน เนื่องจากข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพที่สำคัญ พื้นผิวเซรามิก AMB (Active Metal Brazing) จึงค่อยๆ เข้ามาแทนที่พื้นผิวเซรามิก DBC (Direct Bonded Copper) ในด้านการใช้งานที่มีความน่าเชื่อถือสูง-หลายๆ ด้าน กลายเป็นวัสดุหลักในการบินและอวกาศ ยานพาหนะพลังงานใหม่ การใช้งานทางอุตสาหกรรม และภาคส่วนอื่นๆ โดยมีแนวโน้มการพัฒนาที่มีแนวโน้ม
เนื่องจากพาวเวอร์เซมิคอนดักเตอร์ยังคงพัฒนาไปสู่ความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นและความน่าเชื่อถือที่มากขึ้น ระบบวัสดุและโครงสร้างส่วนต่อประสานจึงกลายเป็นปัจจัยสำคัญที่กำหนดขีดจำกัดสูงสุดของประสิทธิภาพและขอบเขตของต้นทุน สำหรับอุปกรณ์ SiC ที่ทำงานภายใต้-แรงดันไฟฟ้าและสภาวะอุณหภูมิสูง-สูง สารตั้งต้น AMB ที่ใช้ Ag-Cu-Ti- แบบเดิมจะประสบกับข้อเสีย เช่น ความล้มเหลวในการย้ายแร่เงินและความผันผวนของต้นทุน ภายใต้ข้อกำหนดการบริการ-อายุการใช้งานที่ยาวนานและความน่าเชื่อถือสูง-ของอุปกรณ์กำลังสูง-ที่ใช้ในแพลตฟอร์มยานยนต์ 800V สำหรับรถยนต์พลังงานใหม่ การขนส่งทางรถไฟ และโครงข่ายไฟฟ้า การปรับสมดุลต้นทุนและความน่าเชื่อถือได้กลายเป็นทิศทางหลักในการเพิ่มประสิทธิภาพในหมู่ผู้ผลิตรายใหญ่
การพัฒนาอย่างรวดเร็วของอุตสาหกรรมข้อมูลเซมิคอนดักเตอร์และอิเล็กทรอนิกส์ทำให้ข้อกำหนดด้านประสิทธิภาพที่สูงขึ้นสำหรับวัสดุหลัก เนื่องจากเป็นวัสดุพื้นฐานหลักที่มีลักษณะการเชื่อมต่อแบบมัลติฟังก์ชั่น-รวมทั้งคุณสมบัติทางไฟฟ้า แม่เหล็ก ความร้อน และทางกล-เซรามิกอิเล็กทรอนิกส์จึงถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในส่วนประกอบหลัก เช่น ตัวเก็บประจุ ตัวกรอง เซ็นเซอร์ และซับสเตรตของบรรจุภัณฑ์ ในบรรดาวัสดุเหล่านี้ พื้นผิวเซรามิกเป็นตัวแทนของรูปแบบผลิตภัณฑ์ที่สำคัญของเซรามิกอิเล็กทรอนิกส์ในบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์กำลัง และค่าการนำความร้อน ความแข็งแรงเชิงกล ความน่าเชื่อถือ และความแม่นยำของสิ่งเหล่านี้จะกำหนดประสิทธิภาพและอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้ายโดยตรง