ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัสดุหลักของเซมิคอนดักเตอร์แบบผสมรุ่นที่สาม ด้วยคุณสมบัติทางกายภาพ เช่น สนามไฟฟ้าที่มีการแยกส่วนสูง ค่าการนำความร้อนสูง และแถบความถี่ที่กว้าง ทำให้อุปกรณ์ดังกล่าวทะลุขีดจำกัดประสิทธิภาพของอุปกรณ์ไฟฟ้าที่ใช้ซิลิคอนแบบดั้งเดิม และเป็นองค์ประกอบหลักสำหรับสถานการณ์ไฟฟ้าแรงสูงและพลังงานสูง เช่น ยานพาหนะพลังงานใหม่ อุปกรณ์จ่ายไฟสำหรับการประมวลผล AI การจัดเก็บพลังงานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ และการขนส่งทางรถไฟ ในปี 2025 อุตสาหกรรมประสบปัญหาด้านกำลังการผลิตล้นเกินและมีการเคลียร์ล้างอย่างลึกซึ้งผ่านสงครามราคา เริ่มตั้งแต่ไตรมาสที่สี่ของปี 2025 อุตสาหกรรมจะเข้าสู่จุดเปลี่ยนเชิงโครงสร้าง วัสดุพิมพ์และอุปกรณ์คุณภาพสูงเกรดยานยนต์และเกรดกำลัง AI เข้าสู่วงจรการขาดแคลน ในขณะที่อุปทานของผลิตภัณฑ์เอนกประสงค์ระดับล่างยังคงหลวมอยู่ ซึ่งแสดงให้เห็นถึงความแตกต่างทางโครงสร้างที่ชัดเจนในอุตสาหกรรม ตลาดโลกรักษาอัตราการเติบโตแบบทบต้นที่สูงในระยะยาว โดยมียานพาหนะพลังงานใหม่เป็นฐานพื้นฐาน และโครงสร้างพื้นฐานการประมวลผล AI กลายเป็นเส้นโค้งการเติบโตที่สอง ห่วงโซ่อุตสาหกรรมในประเทศประสบความสำเร็จอย่างก้าวกระโดดในส่วนของซับสเตรต โดยเป็นผู้นำระดับโลกในด้านส่วนแบ่งตลาดซับสเตรตขนาด 8 นิ้ว ในขณะที่ส่วนเอพิแทกซี อุปกรณ์ และโมดูลยังคงเดินหน้าการทดแทนภายในประเทศอย่างต่อเนื่อง อย่างไรก็ตาม อุปสรรคด้านการรับรองเกรดยานยนต์ ผลผลิต ต้นทุน และสิทธิบัตรยังคงเป็นข้อบกพร่องหลัก
I. ภาพรวมอุตสาหกรรม: หลักการพื้นฐานของซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) และโครงสร้างโซ่อุตสาหกรรม
1.1 คุณสมบัติของวัสดุและมูลค่าการใช้งานของซิลิคอนคาร์ไบด์
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) เป็นวัสดุเซมิคอนดักเตอร์แบบผสมที่ประกอบด้วยซิลิคอนและคาร์บอน ซึ่งเป็นของเซมิคอนดักเตอร์แบบแถบความถี่กว้างรุ่นที่สาม เมื่อเปรียบเทียบกับวัสดุซิลิกอน (Si) แบบดั้งเดิม มีข้อดีหลักสามประการ ได้แก่ ความแรงของสนามไฟฟ้าที่พังทลายมีค่าเป็นประมาณ 3 เท่าของซิลิกอน ซึ่งรองรับระดับแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า; ค่าการนำความร้อนประมาณ 3 เท่าของซิลิคอน ซึ่งช่วยเพิ่มความสามารถในการกระจายความร้อนได้อย่างมาก และการสูญเสียการสลับจะลดลงด้วยความต้านทานต่ออุณหภูมิสูงที่แข็งแกร่ง ในสถานการณ์การแปลงพลังงานไฟฟ้าแรงสูงและพลังงานสูง อุปกรณ์จ่ายไฟ SiC สามารถลดการสูญเสียของระบบ ลดการกระจายความร้อนและปริมาตร และปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน ทำให้อุปกรณ์เหล่านี้เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการเปลี่ยนแปลงพลังงานและโครงสร้างพื้นฐานการประมวลผล
IGBT ที่ใช้ซิลิกอนแบบดั้งเดิม (ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกทแบบหุ้มฉนวน) มีข้อบกพร่องที่เห็นได้ชัดเจนในเรื่องการสูญเสียและการกระจายความร้อนใน 800V และสูงกว่าแพลตฟอร์มไฟฟ้าแรงสูง ในขณะที่ SiC MOSFET (ทรานซิสเตอร์สนามเอฟเฟกต์โลหะออกไซด์ของโลหะออกไซด์-เซมิคอนดักเตอร์) เหมาะอย่างยิ่งกับแพลตฟอร์มไฟฟ้าแรงสูง 800V จึงกลายเป็นตัวเลือกหลักสำหรับแพลตฟอร์มไฟฟ้าแรงสูงสำหรับรถยนต์พลังงานใหม่ นอกเหนือจากอุปกรณ์จ่ายไฟแล้ว SiC ยังสามารถนำมาใช้ในทิศทางใหม่ เช่น อุปกรณ์ RF และซับสเตรตการกระจายความร้อนของบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง เพื่อเปิดพื้นที่ตลาดมากขึ้น
1.2 โครงสร้างโซ่อุตสาหกรรม
ห่วงโซ่อุตสาหกรรม SiC แบ่งออกเป็นสามส่วนหลัก: สารตั้งต้นต้นน้ำและเอพิแทกซี; การผลิตชิประดับกลาง อุปกรณ์ และโมดูลพลังงาน และแอพพลิเคชั่นดาวน์สตรีม วัสดุพิมพ์เป็นกลุ่มที่มีมูลค่าสูงสุดและมีอุปสรรคทางเทคนิคที่แข็งแกร่งที่สุดในห่วงโซ่อุตสาหกรรมทั้งหมด ซึ่งคิดเป็นประมาณ 47% ของต้นทุนอุปกรณ์ทั้งหมด และเป็นจุดสนใจหลักของการแข่งขันในอุตสาหกรรม
1. ต้นน้ำ: สารตั้งต้น + Epitaxy
พื้นผิว SiC: แบ่งออกเป็นประเภทสื่อกระแสไฟฟ้า (อุปกรณ์ไฟฟ้า ยานพาหนะพลังงานใหม่ การจัดเก็บพลังงาน อุปกรณ์จ่ายไฟ AI) และประเภทกึ่งฉนวน (อุปกรณ์ RF) ขนาดกระแสหลักคือ 6 นิ้ว อุตสาหกรรมกำลังวนซ้ำเป็น 8 นิ้ว และ 12 นิ้วได้เข้าสู่ขั้นตอนการตรวจสอบตัวอย่างแล้ว ขนาดที่ใหญ่ขึ้นเป็นหนทางหลักในการลดต้นทุน พื้นที่ของซับสเตรตขนาด 8 นิ้วมีขนาดใหญ่กว่าซับสเตรตขนาด 6 นิ้วถึง 78% จำนวนไดคัทต่อเวเฟอร์เพิ่มขึ้นประมาณ 1.8 ถึง 2 เท่า การสูญเสียขอบลดลง และต้นทุนต่อเวเฟอร์ลดลงประมาณ 35% ปัญหาหลักในการเตรียมซับสเตรตอยู่ที่ผลผลิตการเติบโตของผลึก การควบคุมข้อบกพร่อง และการขยายขนาด เตาหลอมคริสตัล อุปกรณ์ตัด เจียร และขัดเงาเป็นรายจ่ายฝ่ายทุนหลัก
เวเฟอร์อีปิแอกเซียล: ชั้นอีปิแอกเซียลถูกปลูกบนพื้นผิวโดยใช้อุปกรณ์ MOCVD (การตกสะสมไอของสารเคมีโลหะและอินทรีย์) ประสิทธิภาพของอุปกรณ์ถูกกำหนดโดยคุณภาพของชั้นเอพิเทเชียล และนี่คือจุดเชื่อมต่อหลักที่เชื่อมต่อซับสเตรตและการผลิตชิป
2. กลางน้ำ: การผลิตชิป อุปกรณ์ โมดูลพลังงาน
บนเวเฟอร์ SiC เอปิเทกเชียล กระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ เช่น การพิมพ์หิน การแกะสลัก และการฝังไอออน เสร็จสมบูรณ์เพื่อเตรียมชิป เช่น MOSFET และ SBD (ไดโอด Schottky Barrier) จากนั้นจึงบรรจุลงในโมดูลจ่ายไฟและจัดส่งให้กับผู้ผลิตปลายน้ำโดยตรง บริษัท IDM (ผู้ผลิตอุปกรณ์แบบรวม) ในต่างประเทศ (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) ส่วนใหญ่จะครอบคลุมห่วงโซ่ทั้งหมดตั้งแต่ซับสเตรตไปจนถึง epitaxy ไปจนถึงอุปกรณ์ไปจนถึงโมดูล วิสาหกิจในประเทศมักใช้รูปแบบการแบ่งงานกันมากขึ้น โดยมีบริษัทซับสเตรต โรงงานปิดผิว และบริษัทออกแบบอุปกรณ์และบรรจุภัณฑ์ที่พัฒนาอย่างเป็นอิสระ ในขณะที่บางองค์กรขยายขึ้นไปถึงต้นน้ำ布局
3. การใช้งานขั้นปลายน้ำ
ยานพาหนะพลังงานใหม่เป็นเส้นทางหลัก (อินเวอร์เตอร์หลัก, OBC ออนบอร์ด, DC-DC, เสาชาร์จออนบอร์ด); ตามมาด้วยเครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ตัวแปลงกักเก็บพลังงาน อุปกรณ์จ่ายไฟทางอุตสาหกรรม เซิร์ฟเวอร์ AI ระบบไฟฟ้าแรงสูง การขนส่งทางรถไฟ โครงข่ายไฟฟ้าแรงสูง และโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จเร็ว ทิศทางชายแดนคือซับสเตรตการกระจายความร้อนบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงสำหรับชิปประมวลผล AI
ครั้งที่สอง สถานะอุตสาหกรรม SiC ทั่วโลกและในประเทศ
2.1 ภาพรวมขนาดตลาดและการเติบโต
ตลาดอุปกรณ์จ่ายไฟ SiC ทั่วโลกยังคงเติบโตอย่างรวดเร็ว ในปี 2025 ขนาดตลาดอุปกรณ์จ่ายไฟ SiC ทั่วโลกอยู่ที่ประมาณ 40.691 พันล้านหยวน สถาบันต่างๆ คาดการณ์อัตราการเติบโตแบบทบต้นที่ 20.5% ในช่วงปี 2569 ถึงปี 2575 โดยมีขนาดตลาดสูงถึง 147.968 พันล้านหยวนภายในปี 2575 Open Source Securities คาดการณ์ว่าขนาดตลาด SiC ทั่วโลกจะสูงถึง 12.4 พันล้านดอลลาร์สหรัฐภายในปี 2573 โดยโครงสร้างพื้นฐาน AI มีส่วนสนับสนุนเกือบครึ่งหนึ่งของความต้องการใหม่ ซึ่งทำลายโครงสร้างการเติบโตในอดีตที่อาศัยยานพาหนะพลังงานใหม่เพียงอย่างเดียว
จากมุมมองของโครงสร้างความต้องการ ปัจจุบันยานพาหนะพลังงานใหม่คิดเป็นประมาณ 61% ของรายได้จากอุปกรณ์ SiC และเป็นตลาดแอปพลิเคชันที่ใหญ่ที่สุด การเจาะที่เพิ่มขึ้นของรุ่นแพลตฟอร์มไฟฟ้าแรงสูง 800V ช่วยเพิ่มปริมาณ SiC ต่อยานพาหนะโดยตรง แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ AI และการชาร์จพื้นที่จัดเก็บไฟฟ้าโซลาร์เซลล์เป็นกราฟการเติบโตที่สอง ในอดีต ตลาดโดยทั่วไปกำหนดให้ SiC เป็นวัสดุสำหรับเส้นทางยานยนต์พลังงานใหม่ ตรรกะทางอุตสาหกรรมในปัจจุบันได้อัปเกรดเป็นรูปแบบสามตัวขับเคลื่อน ได้แก่ "ยานพาหนะพลังงานใหม่ + พลังการประมวลผล AI + การจัดเก็บพลังงานใหม่"
2.2 รูปแบบอุปสงค์-อุปทาน: การเคลียร์เชิงลึกในปี 2568 การขาดแคลนเชิงโครงสร้างในปี 2569
ตั้งแต่ปี 2021 ถึง 2024 เงินทุนในประเทศจำนวนมากหลั่งไหลเข้าสู่เส้นทาง SiC และโครงการซับสเตรตขนาด 6 นิ้วจำนวนมากได้เปิดตัวในรูปแบบที่เข้มข้น กำลังการผลิตของอุตสาหกรรมขยายตัวอย่างรวดเร็ว เมื่อรวมกับความต้องการที่เป็นไปตามความคาดหวังในอุตสาหกรรมยานยนต์พลังงานใหม่ในปี 2568 ส่งผลให้อุตสาหกรรมเข้าสู่สงครามราคาที่รุนแรง ราคาของวัสดุพิมพ์ระดับล่างและอุปกรณ์อเนกประสงค์ลดลงอย่างรวดเร็ว ผู้ผลิตขนาดเล็กและขนาดกลางหลายรายประสบความสูญเสีย และอุตสาหกรรมเข้าสู่วงจรการเคลียร์กำลังการผลิต การใช้กำลังการผลิตระดับล่างลดลงอย่างมาก และผู้ผลิตบางรายก็ออกจากตลาด
เริ่มตั้งแต่ไตรมาสที่สี่ของปี 2025 รูปแบบอุปสงค์และอุปทานกลับกัน แต่นี่ไม่ใช่การขาดแคลนอุปทานที่ครอบคลุม แต่เป็นการขาดแคลนเชิงโครงสร้าง: (1) อุปทานของซับสเตรตสื่อกระแสไฟฟ้าคุณภาพสูงเกรดยานยนต์และเกรด AI พลังงาน epitaxy และโมดูล MOSFET มีความหนาแน่นสูง การใช้กำลังการผลิตของผู้ผลิตซับสเตรตชั้นนำได้ฟื้นตัวขึ้นมาเหนือ 90% แล้ว ราคาซับสเตรตขนาด 6 นิ้วได้ผ่านจุดต่ำสุดและดีดตัวขึ้นแล้ว และราคาซับสเตรตขนาด 8 นิ้วได้หยุดลดลงและขยับขึ้นด้านบนแล้ว ผู้ผลิต IDM ในต่างประเทศ Infineon และ STMicroelectronics รวมถึงบริษัทในประเทศ เช่น Yangjie Technology ได้ขึ้นราคาอุปกรณ์อย่างต่อเนื่อง ระยะเวลาในการจัดส่งอุปกรณ์ SiC สำหรับอุปกรณ์จ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ AI ยาวขึ้นประมาณ 30 สัปดาห์ โดยราคาเพิ่มขึ้นมากกว่า 15% เมื่อเทียบกับสิ้นปี 2025 (2) การจัดหาซับสเตรตระดับล่างที่มีตัวบ่งชี้ข้อบกพร่องต่ำซึ่งไม่สามารถผ่านการรับรองเกรดยานยนต์และอุปกรณ์ตามข้อกำหนดเฉพาะด้านอุตสาหกรรมยังคงมีปริมาณมากเกินไป และราคายังคงอยู่ภายใต้แรงกดดัน
ผลลัพธ์หลักของการสับเปลี่ยนอุตสาหกรรมรอบนี้: การแข่งขันในอุตสาหกรรมได้เปลี่ยนจากการแข่งขันในระดับกำลังการผลิตไปสู่การแข่งขันด้านความสามารถที่ครอบคลุมในด้านผลผลิต การควบคุมข้อบกพร่อง การรับรองระดับยานยนต์ การส่งมอบที่มั่นคง และการควบคุมต้นทุน ความเข้มข้นของอุตสาหกรรมยังคงเพิ่มขึ้น และองค์กรชั้นนำได้รับประโยชน์
2.3 แนวการแข่งขันระดับโลก
บริษัทยักษ์ใหญ่ในต่างประเทศแบบดั้งเดิมมีข้อได้เปรียบในการเป็นผู้ริเริ่ม และนำโมเดล IDM มาใช้เป็นหลัก ได้แก่ Wolfspeed (สหรัฐอเมริกา ชื่อเดิม Cree), ROHM (ญี่ปุ่น), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) และ onsemi ผู้ผลิตในต่างประเทศมีการสะสมอย่างลึกซึ้งในสิทธิบัตรวัสดุพิมพ์ การรับรองลูกค้าระดับยานยนต์ กระบวนการของอุปกรณ์ และบรรจุภัณฑ์โมดูล และครองส่วนแบ่งหลักของตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าทั่วโลกมายาวนาน
องค์กรในประเทศประสบความสำเร็จในการพัฒนาครั้งใหญ่ในส่วนวัสดุพิมพ์ ในปี 2025 องค์กรในประเทศประสบความสำเร็จในการเป็นผู้นำระดับโลกในด้านสารตั้งต้นที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า Tianyue Advanced มีส่วนแบ่งตลาดทั่วโลกของซับสเตรต SiC ขนาด 8 นิ้วเกินกว่า 50% และมีส่วนแบ่งการตลาดทั่วโลกของซับสเตรต SiC ขนาด 8 นิ้วอยู่ในอันดับหนึ่ง Tianyue Advanced และ Tianke Heda ร่วมกันครองส่วนแบ่งตลาดสารตั้งต้นที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเกินกว่า Wolfspeed การจัดหาสารตั้งต้น SiC ของจีนคิดเป็นประมาณ 50% ของทั้งหมดทั่วโลก และได้เข้าสู่ระดับแรกของโลกแล้ว ส่วน epitaxy อุปกรณ์ และโมดูลในประเทศยังอยู่ในขั้นตอนการติดตาม ผู้ผลิตอุปกรณ์ในประเทศยังคงตามหลังผู้นำในต่างประเทศในด้านการรับรองระดับยานยนต์ ความน่าเชื่อถือ และความสามารถในการจัดส่งเป็นชุดที่มีความเสถียร ผู้ผลิตห้าอันดับแรกในตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าในประเทศรวมกันครองส่วนแบ่งตลาด 70.4% โดยสามอันดับแรกทั้งหมดเป็นองค์กรในต่างประเทศ ในขณะที่ผู้ผลิตในประเทศยังคงมีส่วนแบ่งตลาดค่อนข้างต่ำ
องค์กรตัวแทนในแต่ละส่วนของห่วงโซ่อุตสาหกรรมในประเทศ: (1) พื้นผิว: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaxy: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) อุปกรณ์/โมดูล: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) อุปกรณ์ต้นน้ำ: Jingsheng Mechanical & Electrical (เตาหลอมคริสตัล), อุปกรณ์ Jingsheng, AMEC (อุปกรณ์ epitaxy MOCVD)
2.4 นโยบายสิ่งแวดล้อมภายในประเทศ
เนื่องจากเป็นแนวทางสำคัญของเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สามและกำลังการผลิตที่มีคุณภาพใหม่ ซิลิคอนคาร์ไบด์จึงอยู่ในทิศทางเชิงกลยุทธ์ของความเป็นอิสระและความสามารถในการควบคุมเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศ "แผนห้าปีที่ 14" ระดับชาติและ "แผนห้าปีที่ 15" ยังคงสนับสนุนการพัฒนาอุตสาหกรรมของวัสดุและอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม และท้องถิ่นหลายแห่งได้จัดตั้งกองทุนอุตสาหกรรมพิเศษเพื่อให้เงินอุดหนุนสำหรับการก่อสร้างสายการผลิต การลงทุนด้านการวิจัยและพัฒนา และโครงการด้านอุตสาหกรรม ในเวลาเดียวกัน นโยบายอุตสาหกรรมภายในประเทศสำหรับยานยนต์พลังงานใหม่ การจัดเก็บพลังงานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ และโครงสร้างพื้นฐานด้านคอมพิวเตอร์ ขับเคลื่อนความต้องการ SiC ขั้นปลายทางอ้อม นโยบายการจ่ายเงินปันผลเร่งการตรวจสอบและการเปิดตัวห่วงโซ่อุปทานในประเทศ แต่การอุดหนุนทางอุตสาหกรรมจะค่อยๆ เปลี่ยนจากการอุดหนุนด้านกำลังการผลิตไปเป็นตัวบ่งชี้คุณภาพสูง เช่น การวิจัยและพัฒนา การปรับปรุงผลผลิต และการรับรองเกรดยานยนต์
III. การวิเคราะห์ความต้องการขั้นปลาย: เส้นทางการขับขี่หลักสามเส้นทาง ปรับโครงสร้างลอจิกการเติบโตใหม่
3.1 ยานพาหนะพลังงานใหม่: ฐานพื้นฐานของอุตสาหกรรม แพลตฟอร์ม 800V เพิ่มมูลค่าต่อยานพาหนะ
ยานพาหนะพลังงานใหม่ยังคงเป็นแหล่งที่มาของความต้องการ SiC ที่ใหญ่ที่สุด แพลตฟอร์ม 400V แบบดั้งเดิมโดดเด่นด้วย IGBT ที่ใช้ซิลิคอน แพลตฟอร์มไฟฟ้าแรงสูง 800V มีข้อดี เช่น การชาร์จที่รวดเร็ว การลดน้ำหนัก และช่วงที่ได้รับการปรับปรุง และ SiC MOSFET ได้กลายเป็นโซลูชันกระแสหลัก อุปกรณ์ SiC ถูกใช้ในส่วนประกอบต่างๆ เช่น อินเวอร์เตอร์หลัก, OBC ออนบอร์ด, DC-DC และที่ชาร์จออนบอร์ด และค่า SiC ต่อรถยนต์สูงกว่าโซลูชันที่ใช้ซิลิคอน 400V อย่างมาก
ผู้ผลิตรถยนต์กระแสหลักระดับโลก เช่น Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen และ Mercedes-Benz ยังคงแนะนำโซลูชัน SiC ในรุ่นระดับไฮเอนด์ต่อไป เนื่องจากรุ่นแพลตฟอร์ม 800V รวมอยู่ในรุ่นระดับกลาง การเจาะ SiC จะยังคงเพิ่มขึ้นต่อไป ในระยะสั้น อุตสาหกรรมยานยนต์พลังงานใหม่เผชิญกับแรงกดดันด้านยอดขาย แต่แนวโน้มการใช้ไฟฟ้าระยะกลางและระยะยาวนั้นแน่นอน การเจาะที่เพิ่มขึ้นของแพลตฟอร์ม 800V เป็นสายหลัก确定性 ที่ขับเคลื่อนความต้องการอุปกรณ์ SiC อย่างต่อเนื่อง
3.2 แหล่งจ่ายไฟสำหรับศูนย์ข้อมูล AI: เส้นการเติบโตที่สอง การปรับโฉมเพดานอุตสาหกรรม
คลัสเตอร์การประมวลผลโมเดลขนาดใหญ่ AI ต้องการแหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์จำนวนมาก และการอัพเกรดสถาปัตยกรรมแหล่งจ่ายไฟแรงดันสูงของเซิร์ฟเวอร์ AI ทำให้เกิดความต้องการ SiC อย่างมาก พาวเวอร์ซัพพลายเซิร์ฟเวอร์แบบดั้งเดิมนั้นถูกครอบงำโดยอุปกรณ์ที่ใช้ซิลิกอน แหล่งจ่ายไฟที่มีกำลังสูงและมีความหนาแน่นสูงของ AI มีข้อกำหนดที่สูงกว่าในด้านการสูญเสีย การกระจายความร้อน และความหนาแน่นของพลังงาน อุปกรณ์ SiC สามารถลดการสูญเสียแหล่งจ่ายไฟ ลดปริมาณแหล่งจ่ายไฟ และลดความดันการกระจายความร้อนได้อย่างมาก Open Source Securities คาดการณ์ว่าภายในปี 2573 โครงสร้างพื้นฐาน AI จะมีส่วนสนับสนุนเกือบครึ่งหนึ่งของความต้องการของตลาด SiC และกลายเป็นแหล่งที่มาที่เพิ่มขึ้นที่สำคัญที่สุดของอุตสาหกรรม
ทิศทางชายแดน: SiC เป็นสารตั้งต้นการนำความร้อนสูงสำหรับ CoWoS บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง (Chip-on-Wafer-on-Substrate) ซึ่งใช้สำหรับการกระจายความร้อนของ HBM (หน่วยความจำแบนด์วิธสูง) ที่รองรับชิปประมวลผล หากตระหนักถึงการพัฒนาอุตสาหกรรม SiC จะขยายจากวัสดุอุปกรณ์ไฟฟ้าไปเป็นวัสดุที่ใช้งานได้จริงสำหรับบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง ซึ่งเพิ่มมูลค่าต่อชิปได้อย่างมาก และเปิดพื้นที่ตลาดใหม่ทั้งหมด อย่างไรก็ตาม ทิศทางนี้ยังอยู่ในขั้นตอนการตรวจสอบตัวอย่างของลูกค้า และการพัฒนาอุตสาหกรรมก็มีความไม่แน่นอน
3.3 การจัดเก็บพลังงานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ อุตสาหกรรม และการขนส่งทางราง: การเพิ่มขึ้นอย่างมีเสถียรภาพ
การติดตั้งเซลล์แสงอาทิตย์และการจัดเก็บพลังงานทั่วโลกยังคงเติบโตอย่างต่อเนื่อง อินเวอร์เตอร์แบบรวมศูนย์ สตริงอินเวอร์เตอร์ และ PCS การจัดเก็บพลังงานจะค่อยๆ ทำซ้ำจากโซลูชันที่ใช้ซิลิคอนไปเป็นโซลูชัน SiC เพื่อปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอินเวอร์เตอร์และประสิทธิภาพการแปลง มอเตอร์อุตสาหกรรม อุปกรณ์จ่ายไฟแรงดันสูง การขนส่งทางรถไฟ และการส่งผ่านโครงข่ายไฟฟ้าแรงสูงเป็นความต้องการที่มั่นคงระยะปานกลางและระยะยาว โดยมีลักษณะเฉพาะคือรอบการรับรองที่ยาวนาน คำสั่งซื้อที่มั่นคง และวงจรชีวิตที่ยาวนาน โดยมีข้อกำหนดที่สูงมากสำหรับความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์
IV. เส้นทางการทำซ้ำเทคโนโลยีและการพยากรณ์การพัฒนาระยะกลางและระยะยาว
4.1 ระยะสั้น (พ.ศ. 2569-2571): การใช้งานขนาดใหญ่ขนาด 8 นิ้ว การปรับปรุงผลผลิต + การลดต้นทุน การรับรองเกรดยานยนต์แบบเร่งรัด
ในอีก 2-3 ปีข้างหน้า สายการผลิตหลักของอุตสาหกรรมคือการเพิ่มประสิทธิภาพของกำลังการผลิตขนาด 6 นิ้ว และการเพิ่มขนาดขนาดใหญ่ของซับสเตรต ขนาด 8 นิ้ว เอพิแทกซี และอุปกรณ์การผลิต. 8 นิ้ว ซึ่งเป็นขนาดกระแสหลักของอุตสาหกรรมในอีก 3-5 ปีข้างหน้า ผู้ผลิตซับสเตรตชั้นนำในประเทศจะยังคงขยายสายการผลิตขนาด 8 นิ้วต่อไปเพื่อลดต้นทุนต่อเวเฟอร์
ความขัดแย้งหลักในอุตสาหกรรมได้เปลี่ยนจาก "ไม่ว่าจะมีกำลังการผลิตหรือไม่" เป็น "การปรับปรุงประสิทธิภาพ การควบคุมข้อบกพร่อง และการลงจอดของการกำหนดเกรดยานยนต์ของลูกค้า" บริษัทอุปกรณ์ในประเทศจำนวนมากกำลังเร่งการรับรองระดับยานยนต์ AEC-Q100 สำหรับผู้ผลิตรถยนต์ การจัดเก็บพลังงาน และลูกค้าแหล่งจ่ายไฟ AI เนื่องจากผลผลิตยังคงปรับปรุงอย่างต่อเนื่อง ต้นทุนต่อหน่วยของอุปกรณ์ SiC จึงลดลงอย่างต่อเนื่อง ส่งผลให้ SiC มีการเจาะตลาดจากรุ่นระดับไฮเอนด์ไปจนถึงรุ่นระดับกลาง และจากแหล่งจ่ายไฟระดับไฮเอนด์ไปจนถึงแหล่งจ่ายไฟทางอุตสาหกรรมทั่วไป
ด้านอุปทาน: หลังจากการล้างกำลังการผลิตในปี 2568 อัตราการขยายตัวของกำลังการผลิตใหม่จะช้าลง และอัตราการปล่อยกำลังการผลิตใหม่จะต่ำกว่าการเติบโตของอุปสงค์ ผลิตภัณฑ์คุณภาพสูงเกรดยานยนต์รักษารูปแบบที่เข้มงวด และอุตสาหกรรมเข้าสู่วงจรของปริมาณและราคาที่เพิ่มขึ้น วัสดุพิมพ์ระดับล่างและอุปกรณ์ใช้งานทั่วไปยังคงเผชิญกับการแข่งขัน และผู้ผลิตขนาดเล็กและขนาดกลางที่ขาดผลผลิตและการรับรองจากลูกค้ายังคงถูกกำจัดออกไป ส่งผลให้ความเข้มข้นของอุตสาหกรรมเพิ่มมากขึ้น
4.2 ระยะกลาง (พ.ศ. 2572-2575): 8 นิ้วกลายเป็นกระแสหลักอย่างแท้จริง การพัฒนาอุตสาหกรรมขนาด 12 นิ้วเริ่มต้นขึ้น การทดแทนในประเทศเข้าสู่โซนน้ำลึก
ผลผลิตของสายการผลิตขนาด 8 นิ้วได้รับการปรับปรุงอย่างต่อเนื่อง ต้นทุนลดลงอย่างมาก และการเข้าถึง SiC ในยานพาหนะพลังงานใหม่ การจัดเก็บพลังงาน และอุปกรณ์จ่ายไฟ AI ก็เพิ่มขึ้นอย่างมาก ส่วนวัสดุพิมพ์ในประเทศยังคงรักษาความสามารถในการแข่งขันระดับโลก การทดแทนในประเทศในส่วน epitaxy อุปกรณ์ และโมดูลเร่งขึ้น และผู้ผลิต IDM ในประเทศก็ค่อยๆ เข้าสู่ห่วงโซ่อุปทานของผู้ผลิตรถยนต์ชั้นนำในต่างประเทศและผู้ผลิตแหล่งจ่ายไฟประมวลผล
วัสดุพิมพ์ SiC ขนาด 12 นิ้วเข้าสู่ขั้นตอนการตรวจสอบด้านอุตสาหกรรม บริษัทต่างๆ เช่น Tianyue Advanced ได้ส่งตัวอย่างผลิตภัณฑ์ขนาด 12 นิ้วแล้ว โดยกำหนดเป้าหมายไปที่ซับสเตรตการกระจายความร้อนของบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงและสถานการณ์อุปกรณ์ที่มีกำลังสูงพิเศษ. 12 นิ้ว จะทำให้ต้นทุนต่อเวเฟอร์เจือจางลงอีก แต่การลงทุนในอุปกรณ์และความยากในการประมวลผลนั้นสูงกว่า และการพัฒนาทางอุตสาหกรรมก็ช้ากว่า 8 นิ้ว
ตลาดโลกขยายตัวอย่างรวดเร็ว และส่วนแบ่งที่เพิ่มขึ้นจากพาวเวอร์ซัพพลายประมวลผล AI ยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง การเติบโตของตลาด SiC ไม่ได้ขึ้นอยู่กับความผันผวนของวัฏจักรของยานพาหนะพลังงานใหม่อีกต่อไป และสถานการณ์ปลายน้ำหลายรูปแบบก็ป้องกันความเสี่ยงของวัฏจักรอุตสาหกรรมเดียว
4.3 ระยะยาว (หลังปี 2032): เทคโนโลยีเติบโตเต็มที่ ต้นทุนลดลงอย่างรวดเร็ว เข้าสู่ขั้นความนิยมในวงกว้าง
ต้นทุนอุปกรณ์ SiC ยังคงลดลงอย่างต่อเนื่อง โดยค่อยๆ เข้ามาแทนที่อุปกรณ์จ่ายไฟที่ใช้ซิลิกอนในสถานการณ์แรงดันไฟฟ้าปานกลางและแรงดันต่ำมากขึ้น โดยสถานการณ์การใช้งานจะขยายไปยังเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านและอุปกรณ์จ่ายไฟสำหรับผู้บริโภค. 12-ซับสเตรต SiC นิ้วขนาดนิ้วบรรลุการผลิตจำนวนมาก ภูมิทัศน์ของห่วงโซ่อุตสาหกรรมทั่วโลกมีแนวโน้มที่จะมีเสถียรภาพ และจีนได้สร้างระบบนิเวศอุตสาหกรรม SiC ที่ควบคุมได้โดยอัตโนมัติโดยสมบูรณ์ พร้อมด้วยความสามารถในการแข่งขันระดับโลกทั่วทั้งห่วงโซ่ ตั้งแต่ซับสเตรต อุปกรณ์ เอพิแทกซี และชิป ไปจนถึงโมดูล ขณะเดียวกัน การแข่งขันด้านเทคโนโลยีก็มีศักยภาพเช่นกัน วัสดุแถบความถี่กว้างรุ่นใหม่ เช่น แกลเลียมออกไซด์ (Ga₂O₃) ก่อให้เกิดภัยคุกคามในการทดแทนที่อาจเกิดขึ้นในสถานการณ์ไฟฟ้าแรงสูงเฉพาะ แต่ในระยะกลางและระยะยาว วัสดุเหล่านี้ไม่น่าจะพลิกคว่ำตำแหน่งกระแสหลักของ SiC ในด้านเซมิคอนดักเตอร์กำลังได้
V. ตรรกะการลงทุนและการเลือกเส้นทาง (มุมมองอุตสาหกรรม / การลงทุนในตราสารทุน)
เส้นทาง SiC เป็นเส้นทางการตรวจสอบที่ใช้เงินทุนมาก เทคโนโลยีสูงและใช้เวลานาน การลงทุนไม่สามารถดูแค่ขนาดกำลังการผลิตเท่านั้น หลักอยู่ที่ผลผลิต ตัวบ่งชี้ข้อบกพร่อง การรับรองลูกค้า กระแสเงินสด และเส้นต้นทุน หลังจากการสับเปลี่ยนอุตสาหกรรมในปี 2025 ตรรกะการลงทุนได้เปลี่ยนจาก "การขยายกำลังการผลิต" เป็น "อุปสรรคด้านเทคนิค + อุปสรรคของลูกค้า"
5.1 การวิเคราะห์ลำดับความสำคัญการลงทุนตามกลุ่มโซ่อุตสาหกรรม
1. ส่วนพื้นผิวต้นน้ำ: จัดลำดับความสำคัญขององค์กรพื้นผิวนำไฟฟ้าที่ให้ผลตอบแทนสูงเกรดยานยนต์
วัสดุพิมพ์เป็นส่วนที่มีมูลค่าสูงสุดและมีอุปสรรคที่แข็งแกร่งที่สุดในห่วงโซ่อุตสาหกรรมทั้งหมด และเป็นส่วนเดียวที่จีนประสบความสำเร็จในการเป็นผู้นำระดับโลก ตัวชี้วัดการลงทุนหลัก: ผลผลิตของสารตั้งต้นที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า ความหนาแน่นของข้อบกพร่องของไมโครไพพ์ ความสามารถในการผลิตจำนวนมากขนาด 8 นิ้ว การรับรองจากลูกค้า และความสามารถของอุปกรณ์การเติบโตของคริสตัลภายในองค์กร วิสาหกิจประเภทพื้นผิวที่สามารถผลิตเฉพาะผลิตภัณฑ์ที่มีข้อบกพร่องต่ำและไม่สามารถเข้าสู่ห่วงโซ่อุปทานระดับยานยนต์ได้นั้นมีความสามารถในการทำกำไรในระยะยาวที่อ่อนแอและเป็นเป้าหมายที่มีความเสี่ยงสูง อุปกรณ์การเติบโตของคริสตัลขั้นต้น การตัด การบด และการขัดเงาให้โอกาสในการทดแทนในประเทศ และผู้ผลิตอุปกรณ์จะได้รับประโยชน์จากการขยายสายการผลิตซับสเตรตในประเทศอย่างต่อเนื่อง
2. ส่วน Epitaxy: มุ่งเน้นไปที่องค์กร Epitaxy ที่มีการจัดหาแบทช์ที่เสถียรและความเข้ากันได้กับ MOSFET เกรดยานยนต์
คุณภาพ Epitaxy จะกำหนดความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์โดยตรง และ Epitaxy ระดับยานยนต์ก็มีอุปสรรคทางเทคนิคในระดับสูง พืช Epitaxy ต้องการความร่วมมืออย่างลึกซึ้งกับพืชตั้งต้นและพืชอุปกรณ์ องค์กรที่มีความหนาของชั้นเอปิแทกเซียลที่มั่นคงและความสามารถในการควบคุมสารต้องห้ามจะมีมูลค่าในระยะยาว
3. อุปกรณ์ระดับกลางและโมดูลพลังงาน: มุ่งเน้นไปที่การกำหนดระดับยานยนต์ การตรวจสอบความน่าเชื่อถือ และความสามารถในการบรรจุภัณฑ์
กลุ่มอุปกรณ์มีคูน้ำที่ลึกที่สุดสำหรับยักษ์ใหญ่ในต่างประเทศ โดยมีรอบการรับรองที่ยาวนาน (การรับรองผู้ผลิตรถยนต์มักใช้เวลา 2-3 ปี) การลงทุนควรให้ความสำคัญกับองค์กรที่ได้รับการแต่งตั้งจากผู้ผลิตรถยนต์ชั้นนำ ลูกค้าด้านแหล่งจ่ายไฟ AI และการจัดเก็บพลังงาน และมีใบรับรอง AEC-Q100 บรรจุภัณฑ์โมดูลพลังงานเป็นจุดอ่อนในประเทศ และกระบวนการบรรจุภัณฑ์ที่มีความน่าเชื่อถือสูงและเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง เช่น การเผาผนึกเงิน ให้โอกาสในการลงทุน องค์กร Fabless ที่มีการออกแบบอย่างแท้จริงและไม่มีสายการผลิตที่เป็นกรรมสิทธิ์ ต้องเผชิญกับความเสี่ยงจากการจัดหาวัสดุพิมพ์และความผันผวนของกระบวนการ
4. การสิ้นสุดแอปพลิเคชันขั้นปลาย: มุ่งเน้นไปที่องค์กรแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความสามารถในการออกแบบระบบโซลูชัน SiC
คุณค่าของผู้ผลิตระบบไม่เพียงแต่ในการซื้ออุปกรณ์เท่านั้น แต่ยังรวมถึงการครอบครองแอปพลิเคชันระบบ การกระจายความร้อน และความสามารถอัลกอริธึมควบคุมสำหรับอุปกรณ์ SiC ซึ่งสามารถเพิ่มความได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ SiC ได้สูงสุด จัดลำดับความสำคัญขององค์กรชั้นนำในการควบคุมอิเล็กทรอนิกส์ 800V, แหล่งจ่ายไฟเซิร์ฟเวอร์ AI และ PCS สำหรับจัดเก็บพลังงาน
5.2 กลยุทธ์การลงทุน
การลงทุนในหุ้นหลัก: จัดลำดับความสำคัญของเค้าโครงในส่วนที่มีอุปสรรคสูง เช่น พื้นผิว อุปกรณ์ต้นน้ำ เอพิแทกซีระดับยานยนต์ และโมดูลพลังงาน หลีกเลี่ยงโครงการซับสเตรตระดับล่างที่ต้องอาศัยราคาต่ำและผลตอบแทนต่ำเท่านั้น จัดลำดับความสำคัญขององค์กรที่เสร็จสิ้นการจัดส่งตัวอย่างและการตรวจสอบการกำหนดกับลูกค้าชั้นนำและมีการลงทุนด้านการวิจัยและพัฒนาที่ยั่งยืน โปรดใช้ความระมัดระวังเกี่ยวกับโครงการที่ยังไม่ได้เข้าสู่การตรวจสอบลูกค้าและยังคงอยู่ในขั้นตอนตัวอย่างเท่านั้น
การลงทุนด้านอุตสาหกรรม: เหมาะสำหรับการบูรณาการในแนวตั้งของห่วงโซ่อุตสาหกรรม ผู้ผลิตรถยนต์ องค์กรจัดเก็บพลังงาน และแหล่งจ่ายไฟสำหรับการประมวลผลสามารถล็อคความจุของซับสเตรตและเอพิแทกซีไว้ที่ต้นน้ำ เพื่อให้มั่นใจในความปลอดภัยของห่วงโซ่อุปทาน และป้องกันความเสี่ยงจากการหยุดชะงักของห่วงโซ่อุปทานในต่างประเทศ
จุดมุ่งเน้นในการประเมินมูลค่า: อุตสาหกรรมอยู่ในวงจรการขยายตัว และโดยทั่วไปองค์กรต่างๆ มีค่าใช้จ่ายฝ่ายทุนล่วงหน้าสูงและมีความสามารถในการทำกำไรที่ล้าหลัง การประเมินค่า PE ไม่สามารถนำมาใช้แบบง่ายๆ ได้ มุ่งเน้นไปที่การติดตามความคืบหน้าในการเพิ่มผลผลิต ต้นทุนหน่วยเวเฟอร์ คำสั่งการกำหนดลูกค้า การใช้กำลังการผลิต และกระแสเงินสด
วี. คำเตือนความเสี่ยงหลักของอุตสาหกรรม
6.1 ความเสี่ยงจากอุปสงค์ขั้นปลายไม่เป็นไปตามที่คาดไว้
หากยอดขายรถยนต์พลังงานใหม่และการเจาะตลาดรุ่น 800V ลดลงต่ำกว่าที่คาด ความต้องการ SiC จะถูกลากลงโดยตรง หากรายจ่ายฝ่ายทุนของเซิร์ฟเวอร์ AI หดตัวชั่วคราว การเติบโตของความต้องการแหล่งจ่ายไฟของ AI จะชะลอตัวลง ความต้องการของอุตสาหกรรม SiC เชื่อมโยงอย่างลึกซึ้งกับอุตสาหกรรมหลักสองแห่งที่มีรายจ่ายด้านทุน-รายจ่าย-หนักมากตามวัฏจักรของพลังงานใหม่และพลังการประมวลผล และมีความเสี่ยงจากความผันผวนตามวัฏจักร
6.2 เทคโนโลยีและความเสี่ยงด้านผลผลิต
การเจริญเติบโตของผลึก SiC และกระบวนการ epitaxy นั้นทำได้ยาก ความคืบหน้าในการปรับปรุงผลผลิตที่ต่ำกว่าความคาดหวังจะยังคงผลักดันต้นทุนให้สูงขึ้น ความยากในการเพิ่มสายการผลิตขนาดใหญ่ 8 นิ้ว และ 12 นิ้ว อาจสูงกว่าที่คาดไว้ ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีในวัสดุแถบความถี่กว้างอื่นๆ เช่น แกลเลียมออกไซด์ อาจสร้างความเสี่ยงในการทดแทน
6.3 การแข่งขันด้านราคาและความเสี่ยงด้านกำไรที่ลดลง
แม้ว่าปัจจุบันผลิตภัณฑ์เกรดยานยนต์กำลังขาดแคลนเชิงโครงสร้าง แต่หากมีการผลิตซับสเตรตขนาด 8 นิ้วจำนวนมากในรูปแบบเข้มข้นในอีก 2-3 ปีข้างหน้า อุตสาหกรรมอาจเข้าสู่ภาวะล้นตลาดอีกครั้ง ก่อให้เกิดสงครามราคารอบใหม่ บีบอัตรากำไรขั้นต้นขององค์กร และทำให้องค์กรจำนวนมากยังคงขาดทุน รายจ่ายฝ่ายทุนในอุตสาหกรรมมีมหาศาลและแรงกดดันด้านค่าเสื่อมราคาก็สูง แม้ว่ารายได้จะเติบโตขึ้น แต่องค์กรต่างๆ ก็อาจยังคงขาดทุนอยู่เป็นเวลานาน
6.4 ความเสี่ยงด้านสิทธิบัตรและการค้าระหว่างประเทศ
ผู้นำในต่างประเทศถือสิทธิบัตรหลักจำนวนมากสำหรับซับสเตรตและอุปกรณ์ SiC และองค์กรในประเทศเผชิญกับความเสี่ยงในการดำเนินคดีด้านสิทธิบัตร การควบคุมการส่งออกเซมิคอนดักเตอร์และอุปสรรคทางการค้าในต่างประเทศส่งผลต่อการขยายธุรกิจภายในประเทศไปสู่ลูกค้าต่างประเทศ และการนำเข้าอุปกรณ์และวัสดุ
6.5 ความเสี่ยงด้านการรับรอง
รอบการรับรองสำหรับอุปกรณ์เกรดยานยนต์และเกรดอุตสาหกรรมนั้นยาวนาน หลังจากลงทุนกองทุน R&D จำนวนมาก ความล้มเหลวในการรับรองลูกค้าหรือการกำหนดล่าช้าจะส่งผลโดยตรงต่อการดำเนินการเชิงพาณิชย์ของโครงการ
ปกเกล้าเจ้าอยู่หัว บทสรุป
ในฐานะเส้นทางหลักของเซมิคอนดักเตอร์แบบผสมรุ่นที่สาม ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีประสบการณ์ในการล้างกำลังการผลิตอันโหดร้ายในปี 2568 และนำไปสู่จุดเปลี่ยนความเจริญรุ่งเรืองทางโครงสร้าง ตรรกะการเติบโตได้อัปเกรดจากการขับเคลื่อนรถยนต์พลังงานใหม่เพียงคันเดียว ไปสู่เสียงสะท้อนแบบหลายแทร็กของยานพาหนะพลังงานใหม่ + แหล่งจ่ายพลังงานคอมพิวเตอร์ AI + การจัดเก็บพลังงานไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ในระยะสั้น อุตสาหกรรมแสดงให้เห็นถึงความแตกต่างเชิงโครงสร้างระหว่างอุปสงค์และอุปทาน: ผลิตภัณฑ์เกรดยานยนต์คุณภาพสูงกำลังขาดแคลน ในขณะที่ผลิตภัณฑ์ระดับล่างยังคงเผชิญกับการแข่งขันที่รุนแรง ในระยะกลางและระยะยาว การลดต้นทุนขนาดใหญ่ขนาด 8 นิ้ว และการทดแทนในประเทศเป็นประเด็นหลัก และอุปกรณ์จ่ายไฟประมวลผล AI เปิดเพดานการเติบโตในระยะยาวของอุตสาหกรรม
ห่วงโซ่อุตสาหกรรมของจีนประสบความสำเร็จในความก้าวหน้าระดับโลกในส่วนของสารตั้งต้น ในขณะที่ส่วน epitaxy อุปกรณ์ และโมดูลยังคงตามทัน แต่การรับรองเกรดยานยนต์ ผลผลิต ต้นทุน และสิทธิบัตรยังคงเป็นข้อบกพร่องหลัก ในระดับการลงทุน พื้นที่การเติบโตในระยะยาวของเส้นทางนั้นแน่นอน แต่อุตสาหกรรมนี้เป็นเส้นทางที่มีรายจ่ายด้านทุนสูง มีวงจรการตรวจสอบที่ยาวนาน และไม่เหมาะสำหรับการไล่ตามแนวคิดเรื่องกำลังการผลิตเพียงอย่างเดียว เกณฑ์หลักสำหรับการคัดกรองเป้าหมายการลงทุน: ผลตอบแทนสูง ตัวบ่งชี้ข้อบกพร่องต่ำ การกำหนดลูกค้าชั้นนำ การใช้การรับรองเกรดยานยนต์ และเส้นโค้งต้นทุนที่ควบคุมได้ จัดลำดับความสำคัญของเค้าโครงในส่วนที่มีอุปสรรคสูง เช่น พื้นผิวต้นน้ำ อุปกรณ์การเติบโตของคริสตัล เอพิแทกซีระดับยานยนต์ และโมดูลพลังงาน และหลีกเลี่ยงโครงการที่ไม่มีลูกค้าหลักซึ่งมีผลตอบแทนต่ำ และอาศัยขนาดกำลังการผลิตเพียงอย่างเดียว ในเวลาเดียวกัน มีความจำเป็นต้องติดตามตัวแปรสำคัญอย่างต่อเนื่อง เช่น การขายรถยนต์พลังงานใหม่ รายจ่ายฝ่ายทุนของ AI การเพิ่มผลผลิตขนาด 8 นิ้ว และนโยบายสิทธิบัตรและการค้าในต่างประเทศ เพื่อป้องกันความผันผวนของวัฏจักรและความเสี่ยงของการพัฒนาอุตสาหกรรมที่ไม่เป็นไปตามความคาดหวัง